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Zur Laserablation von Materialien im Vakuum wird ein Laser hoher Leistung
auf ein Target aus dem gewünschten Material fokussiert. Durch die dabei
entstehende hohe Leistungsdichte wird das Targetmaterial aufgeheizt und verdampft.
Im Vakuum kann sich diese Dampfwolke gleichmäßig ausbreiten und
bildet auf einem in der Nähe angebrachten Substrat eine dünne Schicht.
Das Verfahren wird auch als Laserdepositionsverfahren bezeichnet. Damit die
Schicht gleichmäßig dick wird, sind Targetoberfläche und Substratoberfläche
normalerweise parallel angeordnet. Der Abstand zwischen Substrat und Target
beträgt bei unserer Anlage 10 cm. Als Laser für die Ablation
kann ein infraroter, sichtbarer oder ultravioletter Laser mit hoher Strahlleistung
eingesetzt werden.
Wir verwenden einen gepulsten KrF-Excimerlaser mit einer ultravioletten Laserwellenlänge
von 248 nm. Im Bild ist die bei der Ablation entstehende Plasmawolke gezeigt.
Davor ist rotglühend das geheizte Substrat gezeigt, auf dem die Schicht
aufwächst. Mit der Laserdeposition mit ultraviolettem Licht kann jedes
absorbierende Material verdampft werden und bei den meisten Materialien kann
durch eine Wahl der richtigen Parameter Gasdruck bei der Ablation, Leistungsdichte
des Lasers und Substrattemperatur ein stöchiometrieerhaltender Prozess
gefunden werden, bei dem das aufwachsende Schichtmaterial die gleiche Zusammensetzung
hat, wie das verdampfte Targetmaterial, auch wenn es sich um sehr komplexe
Zusammensetzungen wie beispielsweise bei den Hochtemperatur-Supraleitern handelt.
