Lithografieverfahren

Die Strukturierung der mittels gepulster Laserdeposition (PLD), Sputtern oder thermischer Verdampfung hergestellten Dünnschichten erfolgt durch lithografische Definition einer Lackmaske und anschließendem Strukturübertrag mittels nasschemischem oder physikalischem Ätzen.

Für Strukturgrößen oberhalb von ca. 1 µm stehen der Arbeitsgruppe zwei Maskaligner vom Typ MJB3 der Fa. Suess zur Verfügung. Dabei wird ein typischerweise 1,5 µm Fotolack mit UV-Licht durch eine Cr-Maske im Kontakt- oder Proximity-Modus belichtet und anschließend – entweder als Positiv- oder Negativprozess – entwickelt. Der Kantenwinkel der Lackkanten kann dabei durch die Belichtungsparameter als auch durch einen anschließenden „Postbaking“-Schritt eingestellt werden.

Maskaligner

Seit kurzem steht der Arbeitsgruppe ein hochauflösendes Rasterelektronenmikroskop der Fa. Zeiss NTS (Typ Supra 35) mit ELPHY PLUS Lithografiesystem der Fa. RAITH zur Verfügung. Dieses System gestattet die Herstellung von Strukturen bis hinunter zu wenigen 10 nm.

Rasterelektronenmikroskop mit Zusatz für die Elektronenstrahl-Lithographie

Sowohl die Maskaligner, das REM mit Lithografiezusatz als auch die Nassbank mit Lackschleuder, Heizplatte, Ultraschallbad und Tauchbecken befinden sich in dem neu gebauten Reinraum des Instituts.